DEWESOFTSIRIUSI-8XLV八通道隔離電壓與全橋數據采集器

SIRIUSi-8xLV 是 SIRIUS Modular 系列的八通道隔離 USB 數據采集器，支持電壓與全橋輸入，采用 24-bit 雙核 ADC，每通道最高同步采樣率為 200 kS/s。

8 路隔離電壓 / 全橋輸入
200 kS/s 同步采樣，24-bit 雙核 ADC
±200 V 至 ±100 mV，四檔電壓量程
單極性 / 雙極性傳感器激勵，8 × D-SUB9 接口
IEPE、電荷等擴展信號需對應 DSI 適配器

產品概覽

產品說明

SIRIUSi-8xLV 是 SIRIUS Modular 系列的八通道隔離 USB 數據采集器，支持電壓與全橋輸入，采用 24-bit 雙核 ADC，每通道最高同步采樣率為 200 kS/s。

標準 D-SUB9 配置提供 ±200 V、±10 V、±1 V、±100 mV 四檔量程和可編程傳感器激勵。電流測量需外部分流器或對應 DSI 適配器，IEPE、RTD、熱電偶、LVDT及電荷信號需相應 DSI 適配器。

本頁為標準隔離 USB、D-SUB9 配置。BNC、Banana 連接器及 LV+ 計數器配置按具體訂貨型號分別選型；標準 LV 的 D-SUB9 Pin 5 是數字狀態輸入，不等同于 LV+ 的獨立計數器。

型號與選型

1 個訂貨型號

訂貨號可選規格型號說明操作

SIRIUSI-8XLV

原生模擬信號電壓 / 全橋每通道采樣率200 kS/s通道數8

8 路電壓 / 全橋輸入，200 kS/s，24-bit 雙核 ADC；D-SUB9 接口，隔離 USB 配置

詢價

技術參數

性能參數
通道數	8
每通道采樣率	200 kS/s
原生模擬信號	電壓 / 全橋
ADC	24-bit 雙核 Delta-Sigma，抗混疊濾波器
帶寬	70 kHz（DualCore 系列選型表）
增益精度	±0.05% 讀數
零點精度	±200 V / ±10 V / ±1 V / ±100 mV 檔分別為 ±40 / ±2 / ±0.2 / ±0.1 mV；雙核低量程分別為 ±20 / ±1 / ±0.2 / ±0.1 mV
平衡后零點精度	±200 V / ±10 V / ±1 V / ±100 mV 檔分別為 2 / 0.1 / 0.02 / 0.01 mV
典型噪聲底	±200 V / ±10 V / ±1 V / ±100 mV 檔分別為 ?109 / ?109 / ?109 / ?97 dB；雙核低量程分別為 ?118 / ?126 / ?116 / ?97 dB（10 kS/s）
典型共模抑制比	±200 V 檔：70 / 70 / 60 / 55 dB；±10 V 檔：95 / 95 / 89 / 84 dB；±1 V 檔：105 / 105 / 100 / 95 dB；±100 mV 檔：115 / 112 / 107 / 102 dB（50 Hz / 400 Hz / 1 kHz / 10 kHz）
增益溫漂	典型 10 ppm/K，最大 30 ppm/K
零點溫漂	典型 0.3 μV/K + 5 ppm量程/K，最大 2 μV/K + 10 ppm量程/K
增益線性度	＜0.02%
通道間相位失配	0.02° × 輸入頻率[kHz] + 0.1°（200 kS/s，10 V 檔）
時基精度	典型 5 ppm，最大 20 ppm
雙核數字濾波帶寬（?3 dB）	0.1–51.2 kS/s：DC 至 0.494 fs；51.2–102.4 kS/s：DC 至 0.49 fs；102.4–204.8 kS/s：DC 至 0.38 fs
無混疊帶寬	上述三個采樣率區間分別為 DC 至 0.42 fs、0.32 fs、0.22 fs
混疊抑制	上述三個采樣率區間分別為 ?95 dB、?92 dB、?97 dB
ADC 延時	上述三個采樣率區間分別為 12/fs、9/fs、5/fs
過采樣倍數	上述三個采樣率區間分別為 256、128、64
電氣參數
電壓量程	±200 V、±10 V、±1 V、±100 mV
雙核低量程	對應 ±10 V、±500 mV、±50 mV、±5 mV
輸入耦合	DC；AC 1 Hz，軟件可選 3 Hz、10 Hz
AC 耦合條件	In? 相對隔離地須在 ±10 V 內；量程＞10 V 時，In? 的直流分量不會被抑制
輸入阻抗	200 V 檔為 1 MΩ；其他量程 In+ 或 In? 對 GND 為 10 MΩ
隔離	通道間及對地隔離；同一測量模塊內部模擬輸入、供電與數字信號共地
隔離電壓	1000 V（DualCore 系列選型表）
最大共模電壓	±500 V（隔離版本）
過壓保護	200 V 檔為 300 V；其他量程為 100 V，250 Vpeak（10 ms）
傳感器激勵	單極性 0–24 V；雙極性 2–30 V，16-bit DAC 可編程
預設激勵電壓	單極性：1、2.5、5、10、12、15、24 V DC；雙極性：2.5、5、10、12、15、24、30 V DC
激勵精度	±0.1% ±5 mV
激勵溫漂	±50 ppm/K ±100 μV/K
激勵負載穩定度	雙極性，10% 至 90% 負載時＜0.01%
激勵限流	200 mA；每通道最大 2 W，整臺 slice 最大 12 W
激勵保護	持續對地短路保護
橋路連接	全橋；半橋與四分之一橋須另選相應輸入放大器
橋路量程	10 V 激勵時 2–1000 mV/V，雙核可編程
輸入平衡	輸入短路及傳感器零點調整可在軟件選擇
擴展信號	IEPE、RTD、熱電偶、LVDT、電荷等需對應 DSI 適配器；電流需外部分流器或對應 DSI 適配器
供電范圍	9–36 V DC
系列典型功耗	15–35 W，隨放大器組合變化
LV 放大器功耗	1.2 W/通道（系列選型表；不含外部傳感器激勵預算）
通信與接口
通信接口	USB
信號連接器	8 × D-SUB9 母座
計數器輸入	無；獨立計數器接口屬于 LV+ 配置
數字狀態輸入	D-SUB9 的 Pin 5 為 DI Status，可用于電流鉗狀態監測
TEDS 支持	標準 TEDS 及 DSI 適配器
USB 連接器	USB Mini；數據傳輸至電腦或 SBOX
同步接口	2 × 4 針 LEMO；模塊間同步延時 50 ns
同步線纜長度	Master/Slave 最長 100 m；IRIG 最長 200 m
供電連接器	Power In 為 2 針 LEMO 公座，Power Out 為 2 針 LEMO 母座
機械與環境
工作溫度	?10 至 +50 °C（標準帶風扇模塊）
儲存溫度	?40 至 +85 °C
環境濕度	5% 至 95% RH，無凝露（60 °C）
防護等級	IP20（標準模塊）
外形尺寸	266 × 149 × 55 mm（標準外殼；擴展外殼高度 69 mm）
重量	Modular 系列約 1.5–2 kg，隨放大器組合變化
沖擊與振動標準	EN 60068-2-6:2008、EN 60721-3-2:1997 Class 2M2、EN 60068-2-27:2009、MIL-STD-810D（系列通用規格）