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DEWESOFTSIRIUSI-8XSTGM八通道應變橋與電壓數(shù)據(jù)采集器

SIRIUSi-8xSTGM 是 SIRIUS DualCoreADC 系列八通道隔離 USB 數(shù)據(jù)采集器，原生支持電壓、全橋、半橋、四分之一橋及電位計輸入，每通道最高同步采樣率為 200 kS/s，采用 24-bit 雙核 Delta-Sigma ADC。

  • 8 路電壓 / 應變橋 / 電位計輸入
  • 200 kS/s 同步采樣，24-bit 雙核 ADC
  • DSUB9 接口，0 至 15 V 可編程激勵
  • 全橋 / 半橋 / 120 Ω 與 350 Ω 四分之一橋
  • USB 2.0 通信，通道間及通道對地隔離
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01

產(chǎn)品概覽

產(chǎn)品說明

SIRIUSi-8xSTGM 是 SIRIUS DualCoreADC 系列八通道隔離 USB 數(shù)據(jù)采集器，原生支持電壓、全橋、半橋、四分之一橋及電位計輸入，每通道最高同步采樣率為 200 kS/s，采用 24-bit 雙核 Delta-Sigma ADC。

本頁為標準 DSUB9 的 STGM 配置，無計數(shù)器輸入。STGM+ 提供額外計數(shù)器接口，需要轉(zhuǎn)速或編碼器同步測量時應選擇相應配置。

電流測量須外接分流器或?qū)?DSI 適配器；IEPE、熱電偶、RTD、LVDT 和電荷信號需要相應適配器。DSUB9 可按接線說明匹配 DSI 適配器。

標準 USB 配置需要獨立的供電和同步連接。模塊可疊加組成同步多通道系統(tǒng)；USB 與 EtherCAT 版本的采樣能力和接口不同，選型時按完整訂貨號確認。

圖庫后視圖為 USB Modular 共用外殼接口參考，CAN 為選配，接口以實際訂貨配置為準

02

型號與選型

1 個訂貨型號
訂貨號可選規(guī)格型號說明操作
SIRIUSI-8XSTGM
原生模擬信號電壓 / 應變橋 / 電位計每通道同步采樣率200 kS/s通道數(shù)8

8 路電壓 / 應變橋輸入；200 kS/s；DSUB9 接口

詢價
03

技術(shù)參數(shù)

性能參數(shù)

通道數(shù)8
每通道同步采樣率200 kS/s
原生模擬信號電壓 / 應變橋 / 電位計
數(shù)字分辨率24-bit
ADC 類型雙核 Delta-Sigma ADC，抗混疊濾波器
帶寬70 kHz
ADC 數(shù)字濾波（0.1 至 51.2 kS/s）-3 dB 帶寬：DC 至 0.494 fs；-0.1 dB 通帶：DC 至 0.47 fs；無混疊帶寬：DC 至 0.42 fs
ADC 混疊抑制與延時（0.1 至 51.2 kS/s）混疊抑制 -95 dB；ADC 延時 12 / fs；過采樣倍數(shù) 256
ADC 數(shù)字濾波（51.2 至 102.4 kS/s）-3 dB 帶寬：DC 至 0.49 fs；-0.1 dB 通帶：DC 至 0.45 fs；無混疊帶寬：DC 至 0.32 fs
ADC 混疊抑制與延時（51.2 至 102.4 kS/s）混疊抑制 -92 dB；ADC 延時 9 / fs；過采樣倍數(shù) 128
ADC 數(shù)字濾波（102.4 至 204.8 kS/s）-3 dB 帶寬：DC 至 0.38 fs；-0.1 dB 通帶：DC 至 0.24 fs；無混疊帶寬：DC 至 0.22 fs
ADC 混疊抑制與延時（102.4 至 204.8 kS/s）混疊抑制 -97 dB；ADC 延時 5 / fs；過采樣倍數(shù) 64
ADC 通帶紋波-0.035 至 +0.01 dB
增益精度±0.05% 讀數(shù)
零點精度（±10 V 檔）±5 mV；雙核低量程 ±2 mV
平衡后零點精度（±10 V 檔）0.2 mV
典型噪聲底（±10 V 檔）-105 dB；雙核 -121 dB（10 kS/s）
典型共模抑制（±10 V 檔）DC 至 50 Hz：88 dB；400 Hz：86 dB；1 kHz：84 dB
零點精度（±1 V 檔）±0.5 mV；雙核低量程 ±0.2 mV
平衡后零點精度（±1 V 檔）0.02 mV
典型噪聲底（±1 V 檔）-104 dB；雙核 -111 dB（10 kS/s）
典型共模抑制（±1 V 檔）DC 至 50 Hz：97 dB；400 Hz：96 dB；1 kHz：95 dB
零點精度（±100 mV 檔）±0.1 mV；雙核低量程 ±0.1 mV
平衡后零點精度（±100 mV 檔）0.02 mV
典型噪聲底（±100 mV 檔）-95 dB；雙核 -95 dB（10 kS/s）
典型共模抑制（±100 mV 檔）DC 至 50 Hz：111 dB；400 Hz：110 dB；1 kHz：102 dB
零點精度（±10 mV 檔）±0.1 mV；雙核低量程 ±0.1 mV
平衡后零點精度（±10 mV 檔）0.02 mV
典型噪聲底（±10 mV 檔）-75 dB；雙核 -75 dB（10 kS/s）
典型共模抑制（±10 mV 檔）DC 至 50 Hz：111 dB；400 Hz：110 dB；1 kHz：102 dB
增益溫漂典型 10 ppm/K；最大 40 ppm/K
零點溫漂典型 0.3 μV/K + 5 ppm 量程/K；最大 2 μV/K + 10 ppm 量程/K
增益線性度＜0.02%
通道間相位差0.02° × fin [kHz] + 0.1°（200 kS/s）
通道串擾-120 dB（10 kHz）
時基精度典型 5 ppm；最大 20 ppm

電氣參數(shù)

雙核低量程（±10 V 檔）±500 mV
雙核低量程（±1 V 檔）50 mV
雙核低量程（±100 mV 檔）±5 mV
雙核低量程（±10 mV 檔）±0.5 mV
輸入耦合DC
輸入阻抗10 MΩ
最大共模電壓±500 V（隔離型）
過壓保護In+ 對 In-：50 V 連續(xù)；200 Vpeak（10 ms）
電壓量程±10 V、±1 V、±100 mV、±10 mV
激勵電壓0 至 15 V，16-bit DAC 可編程
預設(shè)激勵電壓0、1、2.5、5、10、15 V DC
激勵精度±0.05% ±2 mV
激勵溫漂±50 ppm/K ±100 μV/K
激勵負載穩(wěn)定性負載 0 至 100%：＜0.01%
激勵電流限制45 mA
激勵保護持續(xù)對地短路保護
激勵噪聲＜150 μVrms（10 V / 350 Ω，10 kS/s）
激勵線性調(diào)整率＜0.005%（120 Ω 負載，電阻變化 20 Ω）
Sense 輸入阻抗對 Exc：100 kΩ；對 GND：＞100 MΩ
全橋與半橋最大傳感器電阻5 kΩ
橋路接法全橋 / 半橋 / 四分之一橋（3 線）
橋路量程2 至 1000 mV/V，雙核可編程
內(nèi)部橋路補償半橋 1 kΩ；四分之一橋 120 Ω / 350 Ω
典型橋路補償精度0.05%；TCR 5 ppm/K
內(nèi)部分流電阻100 kΩ
典型分流電阻精度0.05%；TCR 10 ppm/K
輸入短接與傳感器零點調(diào)節(jié)軟件可選
隔離通道間、通道對主板隔離；同一通道內(nèi)部輸入、激勵及計數(shù)器共地
隔離電壓1000 V
供電范圍9 至 36 V DC
整機典型功耗15 至 35 W（依放大器配置及負載）

通信與接口

通信接口USB 2.0
信號連接器8 × DSUB9
TEDS標準 TEDS；可支持相應 DSI 適配器
計數(shù)器輸入無；需計數(shù)器另選 STGM+ 配置
模塊間同步延時50 ns
最大同步線纜長度Master/Slave：100 m；IRIG：200 m

機械與環(huán)境

工作溫度-10 至 +50 °C（標準有風扇版本）
儲存溫度-40 至 +85 °C
環(huán)境濕度5 至 95% RH，60 °C 下無凝露
防護等級IP20（標準有風扇版本）
外形尺寸266 × 149 × 55 mm（標準 Modular 外殼）
重量1.5 至 2 kg（Modular，隨放大器組合變化）
振動與沖擊試驗EN 60068-2-6:2008；EN 60721-3-2:1997 Class 2M2；EN 60068-2-27:2009；MIL-STD-810D
04

資料下載

產(chǎn)品技術(shù)資料

產(chǎn)品規(guī)格、外形尺寸及安裝接線資料

SIRIUS Modular 產(chǎn)品彩頁與放大器選型表（英文）產(chǎn)品彩頁

安裝與使用文檔

涵蓋安裝、接線與使用要點

SIRIUSi-8xSTGM 技術(shù)參考手冊摘頁（英文，V25-1）使用手冊

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