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DEWESOFTSIRIUSI-HD-16XSTGS十六通道 USB 應變橋與電壓數據采集器

SIRIUSi-HD-16xSTGS 是 SIRIUS HD 高通道密度系列 USB 數據采集器,提供 16 路電壓、應變橋及電位計輸入,每通道最高同步采樣率為 200 kS/s,采用 24-bit 單 Delta-Sigma ADC 與抗混疊濾波器。

  • 16 路應變橋 / 電壓 / 電位計輸入
  • 全橋、半橋、四分之一橋,內置橋路補全
  • 200 kS/s 同步采樣,24-bit 單 ADC
  • D-SUB9 接口,IEPE 等擴展需 DSI 適配器
  • 相鄰兩通道共地,通道組間 500 V 隔離
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產品概覽

產品說明

SIRIUSi-HD-16xSTGS 是 SIRIUS HD 高通道密度系列 USB 數據采集器,提供 16 路電壓、應變橋及電位計輸入,每通道最高同步采樣率為 200 kS/s,采用 24-bit 單 Delta-Sigma ADC 與抗混疊濾波器。

D-SUB9 輸入支持全橋、半橋和三線四分之一橋,內置 120 Ω / 350 Ω 橋路補全與 100 kΩ 分流校準電阻。橋路激勵為 0–12 V 可編程,限流 45 mA,最大 350 mW。電流測量需外接分流電阻或匹配的 DSI 適配器;IEPE、RTD、熱電偶、電荷與 LVDT 需相應 DSI 適配器。

HD 的相鄰兩通道共地,按通道組成組隔離,隔離電壓為 500 V。設備采用 USB 2.0 通信與外部 9–36 V DC 供電;同時占用全部 16 路 D-SUB9 時,配套插頭后殼寬度須不超過 15 mm。

配套 DSI-ACC 時,選擇 4 mA 標準或 0.16 Hz 配置,HD 不適用 20 mA 兩種配置。DSI-ACC、DSI-CHG-50、DSI-CHG-DC 的組合隔離上限受適配器 350 VDC 條件限制。 DSI-LVDT 選擇 10–12 V 并核對負載,須滿足主機 350 mW、45 mA 限制;DSI-CHG-DC 需要 12–15 V 激勵,350 mW 主機激勵能力可能限制其帶寬,實際帶寬須按量程確認。

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型號與選型

1 個訂貨型號
訂貨號可選規格型號說明操作
SIRIUSI-HD-16XSTGS
原生模擬信號電壓 / 應變橋 / 電位計模擬通道數16每通道采樣率200 kS/s

16 路應變橋 / 電壓 / 電位計輸入;200 kS/s;24-bit 單 ADC;D-SUB9 接口;按兩通道成組隔離

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技術參數

性能參數

模擬通道數16
每通道采樣率200 kS/s
ADC24-bit 單 Delta-Sigma ADC,抗混疊濾波器
帶寬70 kHz
時基精度典型 5 ppm,最大 20 ppm
增益精度±0.05% 讀數
偏置精度(±10 V 檔)±2 mV
偏置精度(±1 V 檔)±0.2 mV
偏置精度(±100 mV 檔)±0.1 mV
偏置精度(±10 mV 檔)±0.1 mV
典型噪聲底(±10 V 檔)?105 dB(10 kS/s)
典型噪聲底(±1 V 檔)?104 dB(10 kS/s)
典型噪聲底(±100 mV 檔)?95 dB(10 kS/s)
典型噪聲底(±10 mV 檔)?75 dB(10 kS/s)
典型共模抑制比(±10 V 檔)400 Hz:86 dB;1 kHz:84 dB
典型共模抑制比(±1 V 檔)400 Hz:96 dB;1 kHz:95 dB
典型共模抑制比(±100 mV 檔)400 Hz:112 dB;1 kHz:102 dB
典型共模抑制比(±10 mV 檔)400 Hz:112 dB;1 kHz:102 dB
增益溫漂典型 10 ppm/K,最大 40 ppm/K
零點溫漂典型 0.3 μV/K + 5 ppm量程/K;最大 2 μV/K + 10 ppm量程/K
增益線性度<0.02%
通道間相位不匹配0.02° × fin[kHz] + 0.1°(200 kS/s)
通道串擾?120 dB(10 kHz)
放大器平衡后的偏置精度(±10 V 檔)±0.2 mV
放大器平衡后的偏置精度(±1 V 檔)±0.02 mV
放大器平衡后的偏置精度(±100 mV 檔)±0.01 mV
放大器平衡后的偏置精度(±10 mV 檔)±0.01 mV

電氣參數

隔離電壓500 V,按相鄰兩通道成組隔離;同組兩通道共地
供電范圍9–36 V DC,外部供電
整機功耗SIRIUS Modular 系列參考值 15–35 W,隨放大器配置與激勵負載變化
模塊功耗1.3 W / 通道對
原生模擬信號電壓 / 應變橋 / 電位計
電壓量程±10 V、±1 V、±100 mV、±10 mV
輸入耦合DC
輸入阻抗10 MΩ
輸入共模范圍±12 V
過壓保護In+ 對 In?:50 V 連續;200 Vpeak(10 ms)
橋路激勵0–12 V,16-bit DAC 可編程;預設 0、1、2.5、5、10、12 V
激勵精度±0.05% ±2 mV
激勵溫漂±50 ppm/K ±100 μV/K
激勵負載穩定性<0.01%(10–90% 負載)
激勵電流與功率限制45 mA,最大 350 mW
激勵保護持續對地短路保護
橋路連接全橋、半橋、三線四分之一橋(120 Ω / 350 Ω)
橋路量程2–1000 mV/V,可編程
內置橋路補全半橋;120 Ω / 350 Ω 四分之一橋
橋路補全精度0.05%;溫度系數 5 ppm/K
分流校準電阻100 kΩ
分流電阻精度典型 0.05%;溫度系數 10 ppm/K
全橋 / 半橋最大傳感器阻值5 kΩ
輸入短接與傳感器偏置調整軟件可選
擴展信號IEPE、RTD、熱電偶、電荷、LVDT 需相應 DSI 適配器;電流需外部分流或 DSI
DSI-ACC 選型條件僅支持4 mA標準及0.16 Hz配置;HD不適用20 mA兩種配置
DSI 組合隔離條件DSI-ACC、DSI-CHG-50、DSI-CHG-DC 組合隔離上限受適配器350 VDC限制
LVDT 適配器供電條件DSI-LVDT 選擇10–12 V;須核對負載并滿足主機350 mW、45 mA限制
直流電荷適配器條件DSI-CHG-DC 需12–15 V,最大0.8 W;HD-STGS的350 mW激勵能力可能限制帶寬,實際帶寬須按量程確認

通信與接口

計數器輸入無
通信接口USB 2.0
USB 連接器USB Mini
同步連接器2 × 4 針 LEMO 母座
供電連接器輸入:2 針 LEMO 公座;輸出:2 針 LEMO 母座
設備間同步延時50 ns
同步線纜最長距離100 m(主 / 從);200 m(IRIG)
同步電平TTL 兼容
同步輸出電流±24 mA;±50 mA(1 s)
信號連接器16 × D-SUB9 母座
TEDS 支持標準 TEDS 與 DSI 適配器

機械與環境

工作溫度?10 至 +50 °C
儲存溫度?40 至 +85 °C
環境濕度5–95% RH,無凝露(60 °C)
防護等級IP20
標準外形尺寸266 × 149 × 55 mm
重量Modular 系列 1.5–2 kg,隨放大器配置變化
振動與沖擊試驗標準EN 60068-2-6:2008;EN 60721-3-2:1997 Class 2M2;EN 60068-2-27:2009;MIL-STD-810D
連接器后殼寬度全部 16 路同時插接時,D-SUB9 后殼寬度 ≤15 mm
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資料下載

產品技術資料

產品規格、外形尺寸及安裝接線資料

安裝與使用文檔

涵蓋安裝、接線與使用要點

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