DEWESOFTSIRIUSI-HS-8XLV八通道高速電壓與全橋數據采集器

SIRIUSi-HS-8xLV 是 SIRIUS High Speed 系列八通道電壓與全橋數據采集器，采用 16-bit SAR ADC，通過 USB 每通道最高同步采樣 1 MS/s，適合快速電壓變化、橋式傳感器及電流鉗信號測試。

8 路電壓 / 全橋輸入，D-SUB9 接口
1 MS/s 同步采樣，16-bit SAR ADC
±100 V 至 ±50 mV 多檔電壓量程
可編程單極 / 雙極傳感器電壓激勵
USB 2.0 通信，IEPE 等擴展需配套 DSI

產品概覽

產品說明

本頁為 8 路 D-SUB9 接口配置，支持電壓與全橋輸入。電流測量須使用外部分流器或相應 DSI 適配器；IEPE、RTD、熱電偶、LVDT 與電荷信號分別需要對應 DSI 適配器。傳感器電壓激勵可設置為單極 0–24 V 或雙極 2–30 V。

HS-LV 放大器模擬帶寬為 1 MHz，≤200 mV 量程為 800 kHz；可選擇 100 kHz 五階 Bessel 模擬抗混疊濾波或旁路。濾波旁路時需結合采樣率和被測信號頻率評估混疊。

本型號為 USB 接口的 SIRIUSi 隔離型配置。In? 相對通道隔離地須保持在 ±10 V 內；≥10 V 量程不抑制 In? 的直流分量。BNC、Banana、計數器及其他機殼版本需分別選型。

圖集為標準 USB Modular 外殼的后視參考圖；圖中 CAN 為選配接口，前側信號連接器及擴展端口以訂貨配置為準

型號與選型

1 個訂貨型號

訂貨號可選規格型號說明操作

SIRIUSI-HS-8XLV

原生模擬信號電壓 / 全橋模擬通道數8每通道采樣率1 MS/s

8 路電壓 / 全橋輸入；1 MS/s 同步采樣；16-bit SAR；D-SUB9 接口

詢價

技術參數

性能參數
模擬通道數	8
每通道采樣率	1 MS/s
ADC	16-bit SAR
模擬抗混疊濾波	可旁路；100 kHz 五階 Bessel
數字低通濾波	可旁路；Butterworth 或 Bessel，2 / 4 / 6 / 8 階，采樣率與濾波頻率比 2–100
軟件 AAF 濾波	零相位 FIR；采樣率 ≥160 kS/s 時截止頻率 80 kHz，較低采樣率時為采樣率的一半
時基精度	典型 5 ppm，最大 20 ppm
增益溫漂	典型 10 ppm/K，最大 30 ppm/K
增益線性度	＜0.02%
放大器模擬帶寬	1 MHz；量程 ≤200 mV 為 800 kHz（抗混疊濾波旁路時）
直流輸入精度（＜10 V 量程）	±0.03% 讀數 ±0.02% 量程 ±100 μV
直流輸入精度（≥10 V 量程）	±0.03% 讀數 ±0.02% 量程 ±2 mV
交流輸入精度（≤1 kHz）	±0.03% 讀數 ±0.02% 量程
交流輸入精度（≤10 kHz）	±0.1% 讀數 ±0.05% 量程
交流輸入精度（≤100 kHz）	±2% 讀數 ±0.1% 量程
交流輸入精度（≤1 MHz）	±5% 讀數 ±0.5% 量程
平衡后零點精度（＜10 V 量程）	±0.002% 量程 ±3 μV
平衡后零點精度（≥10 V 量程）	±0.005% 量程
典型噪聲底（±100 V 檔）	1 MS/s：?85 dB；200 kS/s：?88 dB；20 kS/s：＜?100 dB
典型噪聲底（±5 V 檔）	1 MS/s：?86 dB；200 kS/s：?88 dB；20 kS/s：＜?100 dB
典型噪聲底（±500 mV 檔）	1 MS/s：?78 dB；200 kS/s：?87 dB；20 kS/s：?95 dB
典型噪聲底（±50 mV 檔）	1 MS/s：?59 dB；200 kS/s：?76 dB；20 kS/s：?86 dB
典型共模抑制（±100 V 檔）	50 Hz：70 dB；400 Hz：70 dB；10 kHz：55 dB
典型共模抑制（±5 V 檔）	50 Hz：88 dB；400 Hz：86 dB；10 kHz：70 dB
典型共模抑制（±500 mV 檔）	50 Hz：102 dB；400 Hz：100 dB；10 kHz：80 dB
典型共模抑制（±50 mV 檔）	50 Hz：102 dB；400 Hz：100 dB；10 kHz：80 dB
零點溫漂	典型 0.3 μV/K + 5 ppm量程/K，最大 2 μV/K + 10 ppm量程/K
通道間相位差	0.02° × 輸入頻率[kHz] + 0.1°（5 V 量程）
通道串擾	＜10 V 量程：?120 dB；≥10 V：?95 dB（10 kHz）
電氣參數
原生模擬信號	電壓 / 全橋
供電范圍	9–36 V DC
系統功耗	SIRIUS Modular 系列參考值 15–35 W，隨放大器配置與激勵負載變化
隔離電壓	1000 V，通道間及通道對地隔離
電壓量程	±100、±50、±20、±10、±5、±2、±1、±0.5、±0.2、±0.1、±0.05 V
輸入耦合	DC；AC 1 Hz，3 Hz、10 Hz 由軟件選擇
輸入阻抗	＜10 V 量程：10 MΩ；≥10 V：INx 對 GND 為 1 MΩ，并聯 110 pF
最大共模電壓	隔離型：±500 V
輸入接線條件	In? 相對 GNDiso 在 ±10 V 內；≥10 V 量程不抑制 In? 直流值
過壓保護	＜10 V 量程：100 V 連續、200 Vpeak 10 ms；≥10 V：300 V 連續
橋路連接	全橋
橋路量程	2–1000 mV/V，軟件可編程
傳感器電壓激勵	單極 0–24 V；雙極 2–30 V，16-bit DAC 可編程
電壓激勵精度	±0.1% ±5 mV
激勵溫漂	±50 ppm/K ±100 μV/K
激勵負載穩定性	10–90% 雙極負載變化時＜0.01%
激勵電流及功率限制	200 mA；每通道最大 2 W；每片總激勵最大 12 W
激勵保護	持續對地短路保護
傳感器零點調節	輸入短接與傳感器零點調整可由軟件選擇
擴展信號	IEPE：DSI-ACC；RTD：DSI-RTD；熱電偶：DSI-TH；LVDT：DSI-LVDT；電荷：DSI-CHG；電流：外部分流器或相應 DSI
單通道功耗	1.2 W/ch
通信與接口
通信接口	USB 2.0
數據連接器	USB Mini
同步連接器	2 × 4 針 LEMO
供電連接器	2 針 LEMO，電源輸入與輸出
同步延時	模塊片之間 50 ns
同步線纜長度	Master/Slave 最長 100 m；IRIG 最長 200 m
計數器輸入	不含；HS-LV+ 為另選配置
擴展接口選件	CAN / CAN-FD 與模擬輸出須按訂貨配置選擇
信號連接器	8 × D-SUB9 母座
TEDS 支持	標準 TEDS 及 DSI 適配器
機械與環境
工作溫度	?10 至 +50 °C
儲存溫度	?40 至 +85 °C
環境濕度	5–95% RH，無凝露（60 °C）
防護等級	IP20，標準帶風扇 Modular 外殼
外形尺寸	266 × 149 × 55 mm；加高外殼為 266 × 149 × 69 mm
重量	Modular 外殼約 1.5–2 kg，取決于放大器組合
沖擊與振動	EN 60068-2-6:2008；EN 60721-3-2:1997 Class 2M2；EN 60068-2-27:2009；MIL-STD-810D