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DEWESOFTSIRIUSI-HS-8XSTG八通道高速應(yīng)變橋與電壓數(shù)據(jù)采集器

SIRIUSi-HS-8xSTG 是 SIRIUS High Speed 系列八通道應(yīng)變橋與電壓數(shù)據(jù)采集器，采用 16-bit SAR ADC，通過 USB 每通道最高同步采樣 1 MS/s，適合高速力、應(yīng)變、壓力與電壓聯(lián)合測(cè)試。

8 路電壓 / 應(yīng)變橋輸入，D-SUB9 接口
1 MS/s 同步采樣，16-bit SAR ADC
全橋、半橋與 120 Ω / 350 Ω 四分之一橋
可編程電壓 / 電流激勵(lì)與雙極分流校準(zhǔn)
USB 2.0 通信，支持 RTD、電阻與電位計(jì)

產(chǎn)品概覽

產(chǎn)品說明

D-SUB9 輸入原生支持電壓、全橋、半橋、120 Ω / 350 Ω 四分之一橋、電位計(jì)、RTD 與電阻。提供可編程電壓和恒流激勵(lì)，以及 59.88 kΩ / 175 kΩ 雙極分流校準(zhǔn)。電流測(cè)量須使用外部分流器；IEPE、電荷、熱電偶和 LVDT 需配套對(duì)應(yīng) DSI 適配器。

HS-STG 放大器模擬帶寬為 1 MHz，≤200 mV 量程為 800 kHz；可選擇 100 kHz 五階 Bessel 模擬抗混疊濾波或旁路。進(jìn)行頻譜分析時(shí)須結(jié)合采樣率選擇濾波，避免高頻信號(hào)混疊。橋路測(cè)量要求超過 100 kHz 帶寬時(shí)，建議采用外部補(bǔ)橋。

本型號(hào)為帶風(fēng)扇、USB 接口的 SIRIUSi 隔離型配置。In? 相對(duì)通道隔離地須保持在 ±10 V 內(nèi)；≥10 V 量程不抑制 In? 的直流分量。需要同步計(jì)數(shù)器時(shí)選擇 HS-STG+，其他接口與機(jī)殼按訂貨配置確認(rèn)。

圖集為標(biāo)準(zhǔn) USB Modular 外殼的后視參考圖；圖中 CAN 為選配接口，前側(cè)信號(hào)連接器及擴(kuò)展端口以訂貨配置為準(zhǔn)

型號(hào)與選型

1 個(gè)訂貨型號(hào)

訂貨號(hào)可選規(guī)格型號(hào)說明操作

SIRIUSI-HS-8XSTG

原生模擬信號(hào)電壓 / 應(yīng)變橋 / 電位計(jì) / RTD / 電阻模擬通道數(shù)8每通道采樣率1 MS/s

8 路應(yīng)變橋 / 電壓輸入；1 MS/s 同步采樣；16-bit SAR；D-SUB9 接口

詢價(jià)

技術(shù)參數(shù)

性能參數(shù)
模擬通道數(shù)	8
每通道采樣率	1 MS/s
ADC	16-bit SAR
模擬抗混疊濾波	可旁路；100 kHz 五階 Bessel
數(shù)字低通濾波	可旁路；Butterworth 或 Bessel，2 / 4 / 6 / 8 階，采樣率與濾波頻率比 2–100
軟件 AAF 濾波	零相位 FIR；采樣率 ≥160 kS/s 時(shí)截止頻率 80 kHz，較低采樣率時(shí)為采樣率的一半
時(shí)基精度	典型 5 ppm，最大 20 ppm
增益溫漂	典型 10 ppm/K，最大 30 ppm/K
增益線性度	＜0.02%
放大器模擬帶寬	1 MHz；量程 ≤200 mV 為 800 kHz（抗混疊濾波旁路時(shí)）
直流輸入精度（＜10 V 量程）	±0.03% 讀數(shù) ±0.04% 量程 ±10 μV
直流輸入精度（≥10 V 量程）	±0.05% 讀數(shù) ±0.01% 量程 ±5 mV
交流輸入精度（≤1 kHz）	±0.03% 讀數(shù) ±0.02% 量程
交流輸入精度（≤10 kHz）	±0.1% 讀數(shù) ±0.05% 量程
交流輸入精度（≤100 kHz）	±2% 讀數(shù) ±0.1% 量程
交流輸入精度（≤500 kHz）	±10% 讀數(shù) ±0.5% 量程
平衡后零點(diǎn)精度（＜10 V 量程）	±0.002% 量程 ±3 μV
平衡后零點(diǎn)精度（≥10 V 量程）	不執(zhí)行放大器平衡
典型噪聲底（±50 V 檔）	1 MS/s：?87 dB；200 kS/s：?88 dB；20 kS/s：＜?100 dB
典型噪聲底（±5 V 檔）	1 MS/s：?88 dB；200 kS/s：?88 dB；20 kS/s：＜?100 dB
典型噪聲底（±200 mV 檔）	1 MS/s：?81 dB；200 kS/s：?85 dB；20 kS/s：?94 dB
典型噪聲底（±20 mV 檔）	1 MS/s：?63 dB；200 kS/s：?74 dB；20 kS/s：?84 dB
典型共模抑制（±50 V 檔）	50 Hz：70 dB；400 Hz：70 dB；10 kHz：55 dB
典型共模抑制（±5 V 檔）	50 Hz：88 dB；400 Hz：86 dB；10 kHz：70 dB
典型共模抑制（±200 mV 檔）	50 Hz：102 dB；400 Hz：100 dB；10 kHz：80 dB
典型共模抑制（±20 mV 檔）	50 Hz：102 dB；400 Hz：100 dB；10 kHz：80 dB
零點(diǎn)溫漂	典型 0.3 μV/K + 15 ppm量程/K，最大 2 μV/K + 40 ppm量程/K
通道間相位差	0.02° × 輸入頻率[kHz] + 0.1°（5 V 量程）
通道串?dāng)_	＜10 V 量程：?120 dB；≥10 V：?95 dB（10 kHz）
橋路精度（2 mV/V，1 V 激勵(lì)）	0.063% 讀數(shù) + 18 μV/V
橋路精度（20 mV/V，1 V 激勵(lì)）	0.19% 讀數(shù) + 18 μV/V
橋路精度（200 mV/V，1 V 激勵(lì)）	0.22% 讀數(shù) + 90 μV/V
橋路精度（1000 mV/V，1 V 激勵(lì)）	0.22% 讀數(shù) + 410 μV/V
橋路精度（2 mV/V，2.5 V 激勵(lì)）	0.052% 讀數(shù) + 7.2 μV/V
橋路精度（20 mV/V，2.5 V 激勵(lì)）	0.084% 讀數(shù) + 20 μV/V
橋路精度（200 mV/V，2.5 V 激勵(lì)）	0.09% 讀數(shù) + 170 μV/V
橋路精度（1000 mV/V，2.5 V 激勵(lì)）	0.091% 讀數(shù) + 810 μV/V
橋路精度（2 mV/V，5 V 激勵(lì)）	0.049% 讀數(shù) + 3.6 μV/V
橋路精度（20 mV/V，5 V 激勵(lì)）	0.071% 讀數(shù) + 10 μV/V
橋路精度（200 mV/V，5 V 激勵(lì)）	0.074% 讀數(shù) + 82 μV/V
橋路精度（1000 mV/V，5 V 激勵(lì)）	0.074% 讀數(shù) + 410 μV/V
橋路精度（2 mV/V，10 V 激勵(lì)）	0.049% 讀數(shù) + 1.8 μV/V
橋路精度（20 mV/V，10 V 激勵(lì)）	0.058% 讀數(shù) + 9 μV/V
橋路精度（200 mV/V，10 V 激勵(lì)）	0.059% 讀數(shù) + 81 μV/V
橋路精度（1000 mV/V，10 V 激勵(lì)）	0.066% 讀數(shù) + 210 μV/V
橋路精度（2 mV/V，15 V 激勵(lì)）	0.047% 讀數(shù) + 1.8 μV/V
橋路精度（20 mV/V，15 V 激勵(lì)）	0.051% 讀數(shù) + 12 μV/V
橋路精度（200 mV/V，15 V 激勵(lì)）	0.049% 讀數(shù) + 140 μV/V
橋路精度（1000 mV/V，15 V 激勵(lì)）	0.064% 讀數(shù) + 140 μV/V
橋路精度（2 mV/V，20 V 激勵(lì)）	0.048% 讀數(shù) + 1.3 μV/V
橋路精度（20 mV/V，20 V 激勵(lì)）	0.052% 讀數(shù) + 8.5 μV/V
橋路精度（200 mV/V，20 V 激勵(lì)）	0.05% 讀數(shù) + 110 μV/V
橋路精度（1000 mV/V，20 V 激勵(lì)）	0.063% 讀數(shù) + 110 μV/V
電氣參數(shù)
原生模擬信號(hào)	電壓 / 應(yīng)變橋 / 電位計(jì) / RTD / 電阻
供電范圍	9–36 V DC
系統(tǒng)功耗	SIRIUS Modular 系列參考值 15–35 W，隨放大器配置與激勵(lì)負(fù)載變化
隔離電壓	1000 V，通道間及通道對(duì)地隔離
電壓量程	±50、±20、±10、±5、±2、±1、±0.4、±0.2、±0.1、±0.04、±0.02 V
輸入耦合	DC；AC 1 Hz，3 Hz、10 Hz 由軟件選擇
輸入阻抗	＜10 V 量程：10 MΩ；≥10 V：INx 對(duì) GND 為 1 MΩ
最大共模電壓	隔離型：±500 V
輸入接線條件	In? 相對(duì) GNDiso 在 ±10 V 內(nèi)；≥10 V 量程不抑制 In? 直流值
過壓保護(hù)	＜10 V 量程：100 V 連續(xù)、200 Vpeak 10 ms；≥10 V：300 V 連續(xù)
橋路連接	全橋 / 半橋 / 四分之一橋，3 線或 4 線
橋路量程	2–1000 mV/V，軟件可編程
內(nèi)部補(bǔ)橋	半橋；120 Ω 與 350 Ω 四分之一橋
補(bǔ)橋精度	0.05%；溫度系數(shù) 5 ppm/K
內(nèi)部校準(zhǔn)分流電阻	59.88 kΩ、175 kΩ，雙極，可接 +Exc 或 ?Exc
分流電阻精度	典型 0.05%；溫度系數(shù) 10 ppm/K
傳感器最大電阻	全橋與半橋：5 kΩ
傳感器平衡范圍	量程的 220%；輸入量程 ≥5 V 時(shí)為量程的 70%
傳感器電壓激勵(lì)	0、1、2.5、5、10、15、20 V DC；16-bit DAC 可編程
電壓激勵(lì)精度	±0.05% ±2 mV
電壓激勵(lì)溫漂	±10 ppm/K ±100 μV/K
電壓激勵(lì)電流及功率限制	100 mA，最大 800 mW
電壓激勵(lì)負(fù)載穩(wěn)定性	0–100% 負(fù)載變化時(shí) ＜0.01%
激勵(lì)線纜調(diào)節(jié)率	電阻變化 20 Ω 時(shí) ＜0.005%（120 Ω 負(fù)載）
激勵(lì)噪聲	＜200 μVrms（10 V 激勵(lì)、350 Ω 負(fù)載、10 kHz 帶寬）
感測(cè)阻抗	Sense 對(duì) Exc：100 kΩ；Sense 對(duì) GND：100 MΩ
傳感器恒流激勵(lì)	0.1、1、2、5、10、20、60 mA DC；16-bit DAC 可編程
恒流順從電壓與功率	20 V，最大 300 mW
恒流輸出阻抗	＞1 MΩ
激勵(lì)保護(hù)	持續(xù)對(duì)地短路保護(hù)
擴(kuò)展信號(hào)	IEPE：DSI-ACC；電荷：DSI-CHG；熱電偶：DSI-TH；LVDT：DSI-LVDT；電流：外部分流器或相應(yīng) DSI
單通道功耗	2 W/ch
高帶寬橋路接線	橋路測(cè)量要求帶寬 ≥100 kHz 時(shí)，建議采用外部補(bǔ)橋
通信與接口
通信接口	USB 2.0
數(shù)據(jù)連接器	USB Mini
同步連接器	2 × 4 針 LEMO
供電連接器	2 針 LEMO，電源輸入與輸出
同步延時(shí)	模塊片之間 50 ns
同步線纜長(zhǎng)度	Master/Slave 最長(zhǎng) 100 m；IRIG 最長(zhǎng) 200 m
計(jì)數(shù)器輸入	不含；HS-STG+ 為另選配置
擴(kuò)展接口選件	CAN / CAN-FD 與模擬輸出須按訂貨配置選擇
信號(hào)連接器	8 × D-SUB9 母座
TEDS 支持	標(biāo)準(zhǔn) TEDS 及 DSI 適配器
機(jī)械與環(huán)境
工作溫度	?10 至 +50 °C
儲(chǔ)存溫度	?40 至 +85 °C
環(huán)境濕度	5–95% RH，無凝露（60 °C）
防護(hù)等級(jí)	IP20，標(biāo)準(zhǔn)帶風(fēng)扇 Modular 外殼
外形尺寸	266 × 149 × 55 mm；加高外殼為 266 × 149 × 69 mm
重量	Modular 外殼約 1.5–2 kg，取決于放大器組合
沖擊與振動(dòng)	EN 60068-2-6:2008；EN 60721-3-2:1997 Class 2M2；EN 60068-2-27:2009；MIL-STD-810D