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DEWESOFTSIRIUSI-HS-8XSTG八通道高速應(yīng)變橋與電壓數(shù)據(jù)采集器

SIRIUSi-HS-8xSTG 是 SIRIUS High Speed 系列八通道應(yīng)變橋與電壓數(shù)據(jù)采集器，采用 16-bit SAR ADC，通過 USB 每通道最高同步采樣 1 MS/s，適合高速力、應(yīng)變、壓力與電壓聯(lián)合測試。

  • 8 路電壓 / 應(yīng)變橋輸入，D-SUB9 接口
  • 1 MS/s 同步采樣，16-bit SAR ADC
  • 全橋、半橋與 120 Ω / 350 Ω 四分之一橋
  • 可編程電壓 / 電流激勵與雙極分流校準
  • USB 2.0 通信，支持 RTD、電阻與電位計
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01

產(chǎn)品概覽

產(chǎn)品說明

SIRIUSi-HS-8xSTG 是 SIRIUS High Speed 系列八通道應(yīng)變橋與電壓數(shù)據(jù)采集器，采用 16-bit SAR ADC，通過 USB 每通道最高同步采樣 1 MS/s，適合高速力、應(yīng)變、壓力與電壓聯(lián)合測試。

D-SUB9 輸入原生支持電壓、全橋、半橋、120 Ω / 350 Ω 四分之一橋、電位計、RTD 與電阻。提供可編程電壓和恒流激勵，以及 59.88 kΩ / 175 kΩ 雙極分流校準。電流測量須使用外部分流器；IEPE、電荷、熱電偶和 LVDT 需配套對應(yīng) DSI 適配器。

HS-STG 放大器模擬帶寬為 1 MHz，≤200 mV 量程為 800 kHz；可選擇 100 kHz 五階 Bessel 模擬抗混疊濾波或旁路。進行頻譜分析時須結(jié)合采樣率選擇濾波，避免高頻信號混疊。 橋路測量要求超過 100 kHz 帶寬時，建議采用外部補橋。

本型號為帶風扇、USB 接口的 SIRIUSi 隔離型配置。In? 相對通道隔離地須保持在 ±10 V 內(nèi)；≥10 V 量程不抑制 In? 的直流分量。需要同步計數(shù)器時選擇 HS-STG+，其他接口與機殼按訂貨配置確認。

圖集為標準 USB Modular 外殼的后視參考圖；圖中 CAN 為選配接口，前側(cè)信號連接器及擴展端口以訂貨配置為準

02

型號與選型

1 個訂貨型號
訂貨號可選規(guī)格型號說明操作
SIRIUSI-HS-8XSTG
原生模擬信號電壓 / 應(yīng)變橋 / 電位計 / RTD / 電阻模擬通道數(shù)8每通道采樣率1 MS/s

8 路應(yīng)變橋 / 電壓輸入；1 MS/s 同步采樣；16-bit SAR；D-SUB9 接口

詢價
03

技術(shù)參數(shù)

性能參數(shù)

模擬通道數(shù)8
每通道采樣率1 MS/s
ADC16-bit SAR
模擬抗混疊濾波可旁路；100 kHz 五階 Bessel
數(shù)字低通濾波可旁路；Butterworth 或 Bessel，2 / 4 / 6 / 8 階，采樣率與濾波頻率比 2–100
軟件 AAF 濾波零相位 FIR；采樣率 ≥160 kS/s 時截止頻率 80 kHz，較低采樣率時為采樣率的一半
時基精度典型 5 ppm，最大 20 ppm
增益溫漂典型 10 ppm/K，最大 30 ppm/K
增益線性度＜0.02%
放大器模擬帶寬1 MHz；量程 ≤200 mV 為 800 kHz（抗混疊濾波旁路時）
直流輸入精度（＜10 V 量程）±0.03% 讀數(shù) ±0.04% 量程 ±10 μV
直流輸入精度（≥10 V 量程）±0.05% 讀數(shù) ±0.01% 量程 ±5 mV
交流輸入精度（≤1 kHz）±0.03% 讀數(shù) ±0.02% 量程
交流輸入精度（≤10 kHz）±0.1% 讀數(shù) ±0.05% 量程
交流輸入精度（≤100 kHz）±2% 讀數(shù) ±0.1% 量程
交流輸入精度（≤500 kHz）±10% 讀數(shù) ±0.5% 量程
平衡后零點精度（＜10 V 量程）±0.002% 量程 ±3 μV
平衡后零點精度（≥10 V 量程）不執(zhí)行放大器平衡
典型噪聲底（±50 V 檔）1 MS/s：?87 dB；200 kS/s：?88 dB；20 kS/s：＜?100 dB
典型噪聲底（±5 V 檔）1 MS/s：?88 dB；200 kS/s：?88 dB；20 kS/s：＜?100 dB
典型噪聲底（±200 mV 檔）1 MS/s：?81 dB；200 kS/s：?85 dB；20 kS/s：?94 dB
典型噪聲底（±20 mV 檔）1 MS/s：?63 dB；200 kS/s：?74 dB；20 kS/s：?84 dB
典型共模抑制（±50 V 檔）50 Hz：70 dB；400 Hz：70 dB；10 kHz：55 dB
典型共模抑制（±5 V 檔）50 Hz：88 dB；400 Hz：86 dB；10 kHz：70 dB
典型共模抑制（±200 mV 檔）50 Hz：102 dB；400 Hz：100 dB；10 kHz：80 dB
典型共模抑制（±20 mV 檔）50 Hz：102 dB；400 Hz：100 dB；10 kHz：80 dB
零點溫漂典型 0.3 μV/K + 15 ppm量程/K，最大 2 μV/K + 40 ppm量程/K
通道間相位差0.02° × 輸入頻率[kHz] + 0.1°（5 V 量程）
通道串擾＜10 V 量程：?120 dB；≥10 V：?95 dB（10 kHz）
橋路精度（2 mV/V，1 V 激勵）0.063% 讀數(shù) + 18 μV/V
橋路精度（20 mV/V，1 V 激勵）0.19% 讀數(shù) + 18 μV/V
橋路精度（200 mV/V，1 V 激勵）0.22% 讀數(shù) + 90 μV/V
橋路精度（1000 mV/V，1 V 激勵）0.22% 讀數(shù) + 410 μV/V
橋路精度（2 mV/V，2.5 V 激勵）0.052% 讀數(shù) + 7.2 μV/V
橋路精度（20 mV/V，2.5 V 激勵）0.084% 讀數(shù) + 20 μV/V
橋路精度（200 mV/V，2.5 V 激勵）0.09% 讀數(shù) + 170 μV/V
橋路精度（1000 mV/V，2.5 V 激勵）0.091% 讀數(shù) + 810 μV/V
橋路精度（2 mV/V，5 V 激勵）0.049% 讀數(shù) + 3.6 μV/V
橋路精度（20 mV/V，5 V 激勵）0.071% 讀數(shù) + 10 μV/V
橋路精度（200 mV/V，5 V 激勵）0.074% 讀數(shù) + 82 μV/V
橋路精度（1000 mV/V，5 V 激勵）0.074% 讀數(shù) + 410 μV/V
橋路精度（2 mV/V，10 V 激勵）0.049% 讀數(shù) + 1.8 μV/V
橋路精度（20 mV/V，10 V 激勵）0.058% 讀數(shù) + 9 μV/V
橋路精度（200 mV/V，10 V 激勵）0.059% 讀數(shù) + 81 μV/V
橋路精度（1000 mV/V，10 V 激勵）0.066% 讀數(shù) + 210 μV/V
橋路精度（2 mV/V，15 V 激勵）0.047% 讀數(shù) + 1.8 μV/V
橋路精度（20 mV/V，15 V 激勵）0.051% 讀數(shù) + 12 μV/V
橋路精度（200 mV/V，15 V 激勵）0.049% 讀數(shù) + 140 μV/V
橋路精度（1000 mV/V，15 V 激勵）0.064% 讀數(shù) + 140 μV/V
橋路精度（2 mV/V，20 V 激勵）0.048% 讀數(shù) + 1.3 μV/V
橋路精度（20 mV/V，20 V 激勵）0.052% 讀數(shù) + 8.5 μV/V
橋路精度（200 mV/V，20 V 激勵）0.05% 讀數(shù) + 110 μV/V
橋路精度（1000 mV/V，20 V 激勵）0.063% 讀數(shù) + 110 μV/V

電氣參數(shù)

原生模擬信號電壓 / 應(yīng)變橋 / 電位計 / RTD / 電阻
供電范圍9–36 V DC
系統(tǒng)功耗SIRIUS Modular 系列參考值 15–35 W，隨放大器配置與激勵負載變化
隔離電壓1000 V，通道間及通道對地隔離
電壓量程±50、±20、±10、±5、±2、±1、±0.4、±0.2、±0.1、±0.04、±0.02 V
輸入耦合DC；AC 1 Hz，3 Hz、10 Hz 由軟件選擇
輸入阻抗＜10 V 量程：10 MΩ；≥10 V：INx 對 GND 為 1 MΩ
最大共模電壓隔離型：±500 V
輸入接線條件In? 相對 GNDiso 在 ±10 V 內(nèi)；≥10 V 量程不抑制 In? 直流值
過壓保護＜10 V 量程：100 V 連續(xù)、200 Vpeak 10 ms；≥10 V：300 V 連續(xù)
橋路連接全橋 / 半橋 / 四分之一橋，3 線或 4 線
橋路量程2–1000 mV/V，軟件可編程
內(nèi)部補橋半橋；120 Ω 與 350 Ω 四分之一橋
補橋精度0.05%；溫度系數(shù) 5 ppm/K
內(nèi)部校準分流電阻59.88 kΩ、175 kΩ，雙極，可接 +Exc 或 ?Exc
分流電阻精度典型 0.05%；溫度系數(shù) 10 ppm/K
傳感器最大電阻全橋與半橋：5 kΩ
傳感器平衡范圍量程的 220%；輸入量程 ≥5 V 時為量程的 70%
傳感器電壓激勵0、1、2.5、5、10、15、20 V DC；16-bit DAC 可編程
電壓激勵精度±0.05% ±2 mV
電壓激勵溫漂±10 ppm/K ±100 μV/K
電壓激勵電流及功率限制100 mA，最大 800 mW
電壓激勵負載穩(wěn)定性0–100% 負載變化時 ＜0.01%
激勵線纜調(diào)節(jié)率電阻變化 20 Ω 時 ＜0.005%（120 Ω 負載）
激勵噪聲＜200 μVrms（10 V 激勵、350 Ω 負載、10 kHz 帶寬）
感測阻抗Sense 對 Exc：100 kΩ；Sense 對 GND：100 MΩ
傳感器恒流激勵0.1、1、2、5、10、20、60 mA DC；16-bit DAC 可編程
恒流順從電壓與功率20 V，最大 300 mW
恒流輸出阻抗＞1 MΩ
激勵保護持續(xù)對地短路保護
擴展信號IEPE：DSI-ACC；電荷：DSI-CHG；熱電偶：DSI-TH；LVDT：DSI-LVDT；電流：外部分流器或相應(yīng) DSI
單通道功耗2 W/ch
高帶寬橋路接線橋路測量要求帶寬 ≥100 kHz 時，建議采用外部補橋

通信與接口

通信接口USB 2.0
數(shù)據(jù)連接器USB Mini
同步連接器2 × 4 針 LEMO
供電連接器2 針 LEMO，電源輸入與輸出
同步延時模塊片之間 50 ns
同步線纜長度Master/Slave 最長 100 m；IRIG 最長 200 m
計數(shù)器輸入不含；HS-STG+ 為另選配置
擴展接口選件CAN / CAN-FD 與模擬輸出須按訂貨配置選擇
信號連接器8 × D-SUB9 母座
TEDS 支持標準 TEDS 及 DSI 適配器

機械與環(huán)境

工作溫度?10 至 +50 °C
儲存溫度?40 至 +85 °C
環(huán)境濕度5–95% RH，無凝露（60 °C）
防護等級IP20，標準帶風扇 Modular 外殼
外形尺寸266 × 149 × 55 mm；加高外殼為 266 × 149 × 69 mm
重量Modular 外殼約 1.5–2 kg，取決于放大器組合
沖擊與振動EN 60068-2-6:2008；EN 60721-3-2:1997 Class 2M2；EN 60068-2-27:2009；MIL-STD-810D
04

資料下載

產(chǎn)品技術(shù)資料

產(chǎn)品規(guī)格、外形尺寸及安裝接線資料

SIRIUS HD / HS 產(chǎn)品彩頁與選型表（英文，目錄摘頁）產(chǎn)品彩頁

安裝與使用文檔

涵蓋安裝、接線與使用要點

SIRIUSi-HS-8xSTG 技術(shù)參考手冊摘頁（英文，V25-1）使用手冊

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